新加坡科技大学副校长Pey Kin Leong教授做客海外名师大讲堂（119）
来源：综合办 发布时间：2022-10-28 访问次数：61
2022年6月29日，第119期浙江大学海外名师大讲堂在线上举办。本次讲座邀请新加坡科技大学副校长Pey Kin Leong教授，为浙大学生们带来一场以“New Physics of Degradation and Breakdown in 2D Dielectrics”为主题的讲座。
讲座中，Pey Kin Leong教授介绍了晶体管尺寸不断缩小的发展历程、芯片在日常生活中的运用以及作为下一代栅极氧化物的部分二维材料，并重点介绍了h-BN（hexagonal-Boron Nitride,六方形氮化硼）作为二维层状材料纳米电子器件的封装层的特点。
与石墨烯相比，h-BN的结构更具有机械稳定性和热稳定性，更适合与二维层状材料系统集成。在生长技术和器件和测试结构方面，主要介绍了化学气相淀积生长h-BN的特点；在缺陷与噪声谱方面，介绍了h-BN生长过程引起的缺陷，主要以缺失原子的形式出现，降低结晶有序性，以及包括电子束辐射等其他原因引起的缺陷。此外，介绍了使用低频噪声的缺陷谱。
Pey Kin Leong教授还介绍了软介电击穿（SBD）、随时间变化的介电击穿（TDDB）、极性对介电击穿的影响、斜坡速率对介电击穿的影响、h-BN的介电击穿机理、h-BN中的介电击穿、介电击穿随时间的变化、介电击穿的物理分析、介电击穿的统计分析等等。最后介绍了新型材料云母（Mica）作为未来可能的栅介电质的层状结构、不同厚度云母的电击穿强度、h-BN介电击穿的统计分析。
最后的交流环节，师生们围绕着h-BN的应用与前景,积极发问，提出自己关心的问题：如“h-BN击穿的RTN与传统的High-k材料的不同，h-BN存在哪些取代现有栅极介电质材料的阻碍等等。Pey Kin Leong教授一一对这些问题进行了耐心且详细的解答，大家都感到收益颇丰。
